欢迎您进入四川威纳尔特种电子材料有限公司

四川威纳尔特种电子材料有限公司|金丝|键合合金丝|键合银丝|键合铜丝|铜钯铜丝|电极丝|电刷丝|金刚石线|切割线|金属丝材电镀

顾客至上 品质第一 持续改善 精益求精

立足长远 着实眼前 专注创新 谋求持续盈利

全国免费咨询热线13923490025

当前位置:主页»新闻资讯»行业动态»

第三代半导体材料:爆发风口中的王者

文章出处:未知 人气:发表时间:2020-12-31 09:12

以砷化镓(GaAs)材料为代表的第二代半导体和以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为主的第三代半导体可以统称为化合物半导体。

化合物半导体由于其优异的性能,广泛应用于5G、光伏、军事装备、消费电子、智能电网、新能源车等领域,具有广阔的应用前景。

当前国内市场处于刚起步阶段。因为各种新型市场需求,化合物半导体材料未来有望进入高速增长期。

相较于硅材料,化合物半导体材料在性能和能带方面具有很大的优势,高电子迁移率、高频率、高功率、高线性度、宽幅频宽、材料选择多元性、抗辐射使得化合物半导体应用领域大多集中在射频器件、光电器件和功率器件。

化合物半导体普遍具有直接禁带结构,且禁带宽度更大、电子饱和漂移速度更高等特点。制作出的半导体器件具有光电性能优异、高速、高频、大功率、耐高温和耐高辐射等特征,具有应用于光电器件、射频器件和电力电子器件的先天优势,通常又被称为宽禁带半导体材料,其发展潜力巨大。

5G时代传输速度的增长要求基带和RF芯片对大数据量的接收和处理能力提升,同时需平衡功耗性能,化合物半导体可以支持高频率和高功率应用,并且效率高,是RF芯片的最佳材料

 

第二代半导体材料砷化镓(GaAs)是目前技术最成熟的化合物半导体。GaAs和硅相比有宽禁带、直接带隙和高电子迁移率的特性,适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件。

GaAs的主要应用在通信领域,包括光纤通讯、卫星通讯、微波通讯等领域。GaAs制成的功率放大器(PA)是手机的重要零件。此外,GaAs制作器件的抗电辐射能力强,工作温度范围宽,能够适应恶劣的工作条件,提高器件的可靠性。

 

GaAs射频器件产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。

目前绝大多数的集成电路以硅为原材料制作,具有集成度高、稳定性好、功耗低等优点。但摩尔定律逐渐遇到瓶颈,除了更高集成度的发展方向之外,通过不同材料在模拟IC上实现更优质的性能是发展方向之一

 

同时随着5G、新能源汽车等产业的发展,对高频、高功率、高压的半导体需求,硅基半导体由于材料特性难以完全满足,以GaAs、GaN、SiC为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。

第二代半导体材料砷化镓(GaAs)是目前技术最成熟的化合物半导体。GaAs和硅相比有宽禁带、直接带隙和高电子迁移率的特性,适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件。

GaAs的主要应用在通信领域,包括光纤通讯、卫星通讯、微波通讯等领域。GaAs制成的功率放大器(PA)是手机的重要零件。此外,GaAs制作器件的抗电辐射能力强,工作温度范围宽,能够适应恶劣的工作条件,提高器件的可靠性。

GaAs射频器件产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。